现有研究表明:微语肖特基接触传感器更适合于检测低浓度生物分子,而欧姆接触传感器在检测神经电信号时具有更强的灵敏度。 这项工作拓宽了2D-vdW-MS异质结构的应用潜力,录精为进一步研究基于2D材料的低功耗电子器件提供了支持。器满图4InSe/T-VTe2异质结能带结构和传输特性曲线a)InSe/T-VTe2异质结的能带结构。 然而,年魂由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态,年魂传统的金属:半导体(MS)界面通常遭受强费米尔钉扎,从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日,清华大学精密仪器系李黄龙副教授(通讯作者)及其博士后吕娟(第一作者)在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。文献链接:天下ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,2019,Adv.Mater.DOI:10.1002/adma.201906000.清华大学精密仪器系李黄龙副教授团队致力于低功耗、天下高速度、新架构芯片的元器件和材料研究,近年来在神经形态器件(TrulyConcomitantandIndependentlyExpressedShort‐andLong‐TermPlasticityinaBi2O2Se‐BasedThree‐TerminalMemristor,Adv.Mater.2019,31,1805769)和超陡亚阈值摆幅晶体管(ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,Adv.Mater.2019,1906000)方面取得重要的阶段性突破。微语石墨烯和InSe的电子态分别用红色和黑色曲线表示。 录精【小结】本文研究了二维vdW-MS异质结在超陡亚阈值摆幅CS-FET中的应用潜力。器满这项工作为基于二维材料的低功耗电子器件提供了新的机遇。 除了选择具有所需态密度-能量关系(D(E))的源材料外,年魂设计栅可调沟道势垒的源-沟道界面对CS-FET至关重要。 研究发现,天下石墨烯可以通过与InSe的界面作用,在Dirac点附近出现自发的p型掺杂和微开的带隙,导致热载流子密度随n型沟道势垒的增加呈指数衰减。微语e)SOR生物传感器I-V曲线随TENG电压处理次数的变化图。 录精【图文导读】图1肖特基/欧姆接触可逆转变多功能生物传感器概念图肖特基/欧姆接触可逆转变生物传感器(SOR生物传感器)用于高灵敏度神经递质和神经电脉冲检测。器满作者使用同一个SOR生物传感器在肖特基接触状态实现了对低浓度多巴胺分子的检测(0.5µmol/mL)。 在本论文中,年魂同一个SOR生物传感器在肖特基接触状态实现了对低浓度多巴胺(0.5µmolmL-1)的高灵敏度检测,年魂经TENG处理转变为欧姆接触后,SOR生物传感器对神经电脉冲的灵敏度提高了16倍。b)SOR器件转变前后的I–V曲线变化图(肖特基接触:天下橙色,转变后的欧姆接触:紫色)。 |
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